苏州工业园区全力推动第三代半导体产业创新集群建设
推动第三代半导体产业创新集群建设，苏州工业园区积极行动。6月25日，国家第三代半导体技术创新中心发展战略研讨会暨第一届专家委员会年会在独墅湖畔举行。为期两天的会议中，国内第三代半导体领域顶尖技术和产业专家，系统谋划、共同探讨如何持续提升产业创新能力和国际竞争力。现场，第三代半导体8个细分领域的联合研发中心同时成立。会前，苏州市委副书记、市长吴庆文会见了中国科学院院士、国家第三代半导体技术创新中心主任郝跃，中国科学院院士、南昌大学副校长江风益一行。
第三代半导体是全球半导体技术创新和产业发展的热点。2006年起，园区就开始在该产业上布局。经过十几年的发力，已成为国内第三代半导体产业资源集聚度最高、产业化程度最好的区域之一。目前，园区已拥有产业上下游企业53家，形成了以“设备辅材-衬底外延-器件”为核心、以“下游应用”为支撑的完整的产业链，并吸引10余位国家级重点人才在园区创新创业。同时，还建设了加工平台、测试分析平台、封装平台等一批公共服务平台。
去年3月，国家科技部批复支持在园区建设国家第三代半导体技术创新中心。一年多来，这一国家级平台交出了一份骄人的成绩单：引进院士团队3个、高层次人才近20人，组建了激光显示等3个领域核心攻关团队；材料生长平台、测试分析平台能力全面提升，服务企业及科研院所超百家；实施省级以上重点研发计划3项，部分关键共性技术指标取得突破性进展；与高校院所、科技企业合作设立联合研发中心9个，聚焦国家战略需求开展协同攻关；成立3亿元天使基金，举办了一系列学术活动，为产学研合作和科创成果转化提供有力支撑。
国创中心已组建由六十余名顶尖专家组成的第一届技术专家委员会，会议现场为部分专家颁发聘书。苏州纳米科技发展有限公司与荷塘创业投资管理（北京）有限公司签约成立苏州荷塘创芯基金，今后将以“金融活水”为产业创新发展注入强动力。
现场，面向关键技术攻关方向，8家机构和新成立的苏州荷塘创芯基金签约，新启动共建8家联合研发中心，分别为氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心、硅基氮化镓材料联合研发中心、宽带通信滤波器芯片技术联合研发中心、碳化硅车用大功率MOSFET芯片技术联合研发中心、微显示Led技术联合研发中心、超高分辨率Micro-LED显示技术联合研发中心等。
苏州市领导沈觅、张桥，苏州市政府秘书长陈羔参加会见。
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